Dynamic random-access memory
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- 1966
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- Mapa das invenções
A memória dinâmica de acesso aleatório é um tipo de memória semicondutora de acesso aleatório que armazena cada bit de dados em uma célula de memória que consiste em um pequeno capacitor e um transistor, ambos tipicamente baseados na tecnologia metal-óxido-semicondutor (MOS). O capacitor pode ser carregado ou descarregado e esses dois estados são considerados para representação dos dois valores de um bit, convencionalmente chamados 0 e 1. A carga elétrica nos capacitores vaza lentamente, portanto, sem intervenção, os dados no chip logo serão perdidos. Para evitar isso, a DRAM requer um circuito externo de atualização de memória que reescreva periodicamente os dados nos capacitores, restaurando-os à sua carga original. Esse processo de atualização é a característica definidora da memória dinâmica de acesso aleatório, em contraste com a memória estática de acesso aleatório (SRAM), que não exige que os dados sejam atualizados. Diferentemente da memória flash, a DRAM é uma memória volátil, pois perde seus dados rapidamente quando a energia é removida. No entanto, a DRAM exibe remanência de dados limitada.
Fontes: Wikipédia — Dynamic random-access memory · CC BY-SA 4.0
Antes e depois, por perto
- 1929 – 1939Grande Depressão
- 1944Acordos de Bretton Woods
- 1964Lei dos Direitos Civis de 1964
- 1966Dynamic random-access memoryEsta página
- 1968Tratado de Não Proliferação de Armas Nucleares
- 2001Ataques de 11 de setembro de 2001
- 2007 – 2009Crise financeira de 2007–2008
Quem governou esta terra
Estados aos quais pertencia este local segundo os dados de fronteiras históricas (Cliopatria). Os anos são aproximados, conforme o intervalo dos dados (de alguns anos a um século). Toque para abrir o mapa daquele ano.